PRODUCT CENTER
NEWS INFORMATION
杭州富加鎵業科技有限公司始終堅持產業化導向,繼突破導模法(EFG)6英寸導電型、絕緣型襯底生長技術及EFG“一鍵長晶”裝備后,2024年7月,基于模擬仿真技術成功研制了氧化鎵坩堝下降法(VB)長晶裝備,并實現了3英寸氧化鎵單晶生長。
在國內外同行重點關注氧化鎵單晶材料研制的同時,杭州富加鎵業科技有限公司(以下簡稱富加鎵業)提前布局氧化鎵外延技術攻關。在國家重點研發計劃“大尺寸氧化鎵半導體材料與高性能器件研究”項目支持(項目編號:2022YFB3605500)支持下,研制了高性能MBE外延片,并與國家重點研發計劃項目器件團隊合作,成功制備了擊穿電壓大于2000V,電流密度為60 mA/mm的MOSFET橫向功率器件,與進口同類型外延片制備器件性能相當。
| 百家乐-百家乐平台_百家乐平注常赢玩法_全讯网2 | |||||
| 峡江县 | 湘潭县 | 邢台市 | 溧水县 | 当雄县 | 石嘴山市 |
| 共和县 | 龙山县 | 台州市 | 黄龙县 | 乌审旗 | 老河口市 |
| 迁安市 | 江北区 | 平阴县 | 白城市 | 许昌市 | 孟村 |